近期论文 |
[1]A New Model for the Indentation Depth of a Particle into the Wafer Surface in Chemical Mechanical Polishing Process[J]. International Journal of Comprehensive Engineering Part C: 2012, Aug. 1. (EI) [2]Jiang Jianzhong, Zhao Yongwu, Luo Jianbin. A chemical mechanical polishing model based on the viscous flow of the amorphous layer[J]. Wear , 2008 (265) :992–998. (SCI) [3] 蒋建忠,赵永武,雒建斌. 一种基于非晶层粘性流动的机械化学抛光模型[J]. 中国机械工程, 2006,17( 24):2540-2546. (EI) [4] 蒋建忠,赵永武. 机械化学抛光过程单分子层材料吸附去除机理分析及建模[J]. 哈尔滨工业大学学报, 2006,38. (EI) [5] 蒋建忠,袁晓林.赵永武.CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析.中国机械工程. 2011,22(15): 1783-1787. (CSCD核心) [6] 蒋建忠,袁晓林.赵永武. CMP材料去除机制的研究进展. 润滑与密封.2011, 36(5): 101-105(CSCD) |